Der Wafer besteht aus reinem Silizium (Si).Der Wafer wird im Allgemeinen in 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Spezifikationen unterteilt und auf der Grundlage dieses Wafers hergestellt.Siliziumwafer, die aus hochreinen Halbleitern durch Prozesse wie Kristallziehen und Schneiden hergestellt werden, werden beca-Wafer genanntSie haben eine runde Form.Auf den Siliziumwafern können verschiedene Schaltungselementstrukturen zu Produkten mit spezifischen elektrischen Eigenschaften verarbeitet werden.funktionale integrierte Schaltkreisprodukte.Wafer durchlaufen eine Reihe von Halbleiterherstellungsprozessen, um extrem kleine Schaltkreisstrukturen zu bilden, und werden dann zu Chips geschnitten, verpackt und getestet, die in verschiedenen elektronischen Geräten weit verbreitet sind.Wafermaterialien haben mehr als 60 Jahre technologischer Entwicklung und industrieller Entwicklung hinter sich und eine industrielle Situation geschaffen, die von Silizium dominiert und durch neue Halbleitermaterialien ergänzt wird.
80 % der weltweiten Mobiltelefone und Computer werden in China hergestellt.China ist für 95 % seiner Hochleistungschips auf Importe angewiesen, sodass China jedes Jahr 220 Milliarden US-Dollar für den Import von Chips ausgibt, was dem Doppelten der jährlichen Ölimporte Chinas entspricht.Alle Geräte und Materialien im Zusammenhang mit Fotolithografiemaschinen und der Chipproduktion sind ebenfalls gesperrt, wie z. B. Wafer, hochreine Metalle, Ätzmaschinen usw.
Heute werden wir kurz über das Prinzip der UV-Lichtlöschung von Wafermaschinen sprechen.Beim Schreiben von Daten ist es erforderlich, Ladung in das Floating-Gate zu injizieren, indem eine Hochspannung VPP an das Gate angelegt wird, wie in der Abbildung unten dargestellt.Da die injizierte Ladung nicht die Energie hat, die Energiewand des Siliziumoxidfilms zu durchdringen, kann sie nur den Status quo aufrechterhalten, also müssen wir der Ladung eine bestimmte Energiemenge geben!Hier wird ultraviolettes Licht benötigt.
Wenn das Floating Gate ultraviolette Strahlung erhält, empfangen die Elektronen im Floating Gate die Energie ultravioletter Lichtquanten und die Elektronen werden zu heißen Elektronen mit Energie, um die Energiewand des Siliziumoxidfilms zu durchdringen.Wie in der Abbildung dargestellt, dringen heiße Elektronen in den Siliziumoxidfilm ein, fließen zum Substrat und Gate und kehren in den gelöschten Zustand zurück.Der Löschvorgang kann nur durch UV-Bestrahlung durchgeführt werden und kann nicht elektronisch gelöscht werden.Mit anderen Worten: Die Anzahl der Bits kann nur von „1“ auf „0“ und in umgekehrter Richtung geändert werden.Es gibt keine andere Möglichkeit, als den gesamten Inhalt des Chips zu löschen.
Wir wissen, dass die Energie des Lichts umgekehrt proportional zur Wellenlänge des Lichts ist.Damit Elektronen zu heißen Elektronen werden und somit die Energie haben, den Oxidfilm zu durchdringen, ist die Bestrahlung mit Licht kürzerer Wellenlänge, also ultravioletten Strahlen, dringend erforderlich.Da die Löschzeit von der Anzahl der Photonen abhängt, kann die Löschzeit auch bei kürzeren Wellenlängen nicht verkürzt werden.Im Allgemeinen beginnt das Löschen, wenn die Wellenlänge etwa 4000 A (400 nm) beträgt.Grundsätzlich erreicht es die Sättigung um 3000 A.Unter 3000 A hat selbst eine kürzere Wellenlänge keinen Einfluss auf die Löschzeit.
Der Standard für die UV-Löschung besteht im Allgemeinen darin, ultraviolette Strahlen mit einer genauen Wellenlänge von 253,7 nm und einer Intensität von ≥16000 μW/cm² zu akzeptieren.Der Löschvorgang kann durch eine Belichtungszeit von 30 Minuten bis 3 Stunden abgeschlossen werden.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 22. Dezember 2023